Новая высокоемкая встроенная память требует вдвое меньше кремния

Исследователи из EPFL и Университета Бар-Илана разработали новый тип встроенной памяти, которая занимает вдвое меньше места, чем традиционная память, и потребляет меньше энергии для хранения заданного объема данных. Технология выводится на рынок с помощью нового побочного продукта под названием RAAAM.

Встроенная память играет решающую роль в работе наших цифровых устройств, от компьютеров и смартфонов до интернета вещей и целых телекоммуникационных сетей. Фактически, встроенная память - это то, что занимает большую часть кремниевой поверхности внутри этих систем. Поэтому производители ищут способы уменьшить количество места, которое занимает встроенная память, так что они могут разрабатывать устройства, которые меньше, дешевле и мощнее. Команда исследователей из EPFL и Университета Бар-Илан (Bar Ilan University (BIU)) в Израиле сделали большой шаг в этом направлении с новым дизайном, который сокращает количество кремния, необходимого для данного объема хранения на 50%, и в то же время снижает потребность в энергии. Они уже получили семь патентов на свою работу и находятся в процессе создания стартапа, RAAAM, для продвижения своей технологии на рынок полупроводниковых тяжеловесов.

Фокус в том, чтобы использовать меньше транзисторов

Встроенная память работает через ряд транзисторов, которые действуют как переключатели; один чип может вмещать миллиарды транзисторов. Система, разработанная исследователями EPFL и BIU, организует транзисторы по-другому, используя короткое замыкание, чтобы сэкономить значительное количество места и энергии.

Подписывайтесь на наш youtube канал!

Их память, называемая GC-eDRAM, требует всего два или три транзистора для хранения небольшого количества данных, по сравнению с шестью или восемью обычными SRAM. Это высвобождает место на микросхемах, чтобы добавить больше памяти или сделать их меньше, чтобы освободить место для других компонентов. Это также уменьшает количество энергии, необходимой для обработки заданного объема данных.

За последнее десятилетие были достигнуты большие успехи в области вычислительной логики, но революционных изменений во встроенной памяти не произошло. "Компоненты чипов стали намного меньше, но с точки зрения фундаментальных основ они практически не изменились", - говорит Андреас Бург, профессор Лаборатории телекоммуникационных схем EPFL и один из основателей RAAAM. Другие типы eDRAM уже присутствуют на рынке.

"Они не получили широкого применения в полупроводниковой промышленности, поскольку не совместимы со стандартными процессами изготовления микросхем. Они требуют специальных этапов производства, которые являются сложными и дорогостоящими", говорит Роберт Гитерман, исследователь постдок в EPFL и генеральный директор RAAAM. GC-eDRAM, разработанный его командой, столь же мал и мощен, как и другие типы, но может быть легко интегрирован в стандартные процессы".

Команда уже работала с ведущими производителями полупроводников для тестирования GC-eDRAM, проводя испытания на микросхемах с длиной волны от 16 до 180 нм, содержащих около дюжины интегральных схем со встроенной памятью емкостью до 1 Мб. "Производители могут заменить существующую память на своих чипах на нашу, без необходимости что-либо менять", - говорит Бург из Школы Инженерии EPFL.

Стартап планирует продавать свою технологию по лицензионным соглашениям. По словам Гитермана, "наша более плотная встроенная память позволит производителям значительно сократить расходы".опубликовано econet.ru по материалам techxplore.com

Подписывайтесь на наш канал Яндекс Дзен!

P.S. И помните, всего лишь изменяя свое потребление - мы вместе изменяем мир! © econet